정부와 민간기업이 반도체‧디스플레이‧차세대전지 분야 연구개발(R&D)에 앞으로 5년간 160조원을 투입한다. 100개 미래 핵심기술을 개발하고 인재양성도 추진해 글로벌 초격차 기술을 확보한다는 계획이다.

과학기술정보통신부는 6일 비상경제장관회의에서 ‘3대 주력기술 초격차 R&D전략’을 관계부처 합동으로 발표했다.

우선 정부는 각 분야별로 범부처 차원의 ‘민‧관 연구 협의체’를 구성‧운영한다. 과기정통부와 산업통상자원부는 3대 주력기술 분야 R&D사업을 지원하는 부처와 산‧학‧연 전문가‧단체들로 구성된 ‘민‧관 연구 협의체’를 연내 구성한다. 이를 통해 R&D사업 기획부터 연구성과 공유, 활용까지 R&D 전 단계를 추진한다. 

특히 정부는 민간과 함께 반도체‧디스플레이‧차세대전지 분야 초격차 기술 확보와 신시장 창출을 위해 2027년까지 총 160조원 규모의 민‧관 R&D 자금을 투자할 예정이다.

정부는 전략 수립 과정에서 산‧학‧연 전문가들과 함께 총 100개의 미래 핵심기술을 선정했다. 미래 핵심기술은 △반도체의 경우 소자, 설계, 공정 등 3개 분야에 총 45개 △디스플레이는 초실감, 차세대 프리폼(free-form), 융‧복합 기술 확보 등을 위해 총 28개 △차세대전지는 이차전지, 수소연료전지, 동위원소전지 분야에 총 27개 기술을 선정했다. 매년 미래 핵심기술을 수정‧보완하여 중점 지원한다. 

또한 3대 주력기술 분야 정부 R&D는 응용‧개발 단계 및 현세대 기술과 더불어 기초‧원천 단계 및 차세대 기술도 강화해 균형 있게 지원한다.

민간에서 필요한 기술 분야에 신속하게 R&D 투자가 이뤄질 수 있도록 부처별 전략기술 관련 법령과 제도 등을 활용해 R&D, 인력, 세제 지원 등을 적극적으로 추진할 예정이다. 이를 위해 조세특례특별법상 국가전략기술 세부기술 선정 시 민간기업의 중요 기술이 즉각적으로 지원 대상에 반영될 수 있도록 부처 간 소통과 협력을 강화한다. 

전문 인력 양성에도 나선다. 3대 주력기술 분야별로 석‧박사급 고급인력 양성을 위해 대학 연구거점 구축사업 등을 신설‧확대한다. 계약정원제, 계약학과 및 전공트랙 신설 등을 통해 실무에 바로 투입할 수 있는 전문인력 양성도 적극 지원한다.

정부는 연구자 중심의 인프라를 조성하고 국제 협력을 활성화 한다.

반도체 관련 새로운 물질과 구조 기반 시제품을 제작할 수 있는 연구자 중심의 특화 오픈팹(Open Fab) 구축을 추진한다. 디스플레이‧차세대전지 맞춤형 연구 인프라도 조성한다. 나노종합기술원(Si CMOS 공정)과 한국나노기술원(화합물 공정) 등 기존 팹 간 역할 분담을 명확화하고 연계를 강화한다. 미국, EU 등과 ‘연구자 포럼’ 개최해 기술 선진국과 공동 R&D 사업 신설 등을 지속 추진한다.

이종호 과기정통부 장관은 “반도체와 디스플레이, 차세대전지 분야는 그간 뛰어난 민간의 역량을 바탕으로 우리 경제를 든든하게 뒷받침해온 버팀목 기술군”이라며 “앞으로도 승자독식 구조의 3대 주력기술 분야에서 세계 1위 수준의 초격차 기술 확보를 위해 민‧관 협업으로 R&D 투자를 강화해 나갈 것”이라고 말했다.

[신아일보] 장민제 기자

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